ポリッシュト・ウェーハをエピタキシャル炉の中で約1200℃まで加熱。炉内に気化した四塩化珪素（SiCl4）、三塩化シラン（トリクロルシラン、SiHCl3）を流すことで、ウェーハ表面上に単結晶シリコンの膜を気相成長（エピタキシャル成長）させます。結晶の安全性が求められる場合や、抵抗率の異なる多層構造を必要とする場合に対応できる高品質なウェーハです。