当社では、CZ法（Czohralski＝チョクラルスキー法）と呼ばれる製造方法によりシリコンウェーハの材料となる単結晶インゴットを製造しています。

金属不純物の濃度数がppb以下（1ppb＝10億分の1）に高純度化された多結晶シリコンを、ホウ酸（B）やリン（P）とともに石英ルツボに入れて、約1420℃で融解させます。ここで加える微量のホウ酸やリンといった不純物が、最終的に完成する半導体の電気抵抗を調整し、その特性を決定します。

ルツボ内で融解したシリコンの液面に種結晶シリコン棒をつけ、回転させながら引き上げると、種結晶と同じ原子配列をした単結晶インゴットが完成します。これがCZ法の大まかな流れです。

また、お客さまのご要望に応じて、石英ルツボを用いないことで低酸素濃度の単結晶インゴットを成長させるFZ法（Floating Zone法）を利用する場合もあります。